포스텍 신소재공학과 이동화 교수 연구팀이 텅스텐이 질화티타늄 기판에서 빠르고 균일하게 성장하는 원자 단위 메커니즘을 밝혀냈다. 연구팀은 제일원리 계산으로 질화티타늄의 질소가 텅스텐을 강하게 붙잡아 치밀한 나노시트 형성을 돕는다는 점을 확인했으며, 질소가 표면에 잘 드러나는 TiN(111)이 최적의 기판 구조라고 제시했다. 연구 결과는 국제...