KAIST 연구팀이 원자 몇 개 두께의 초박막 반도체에 전기를 원활하게 공급하는 '범용 반데르발스 터널링 주입기'를 개발했습니다. 하나의 소재로 n형과 p형을 모두 구동할 수 있어 구동 전류를 1000배 높이고 저전력 AI 반도체 개발의 길을 열었습니다. 이 기술은 연세대, KIST, UNIST, 삼성전자 등과 공동으로 개발되었습니다.