전북대학교 배학열 교수 연구팀이 홍익대, 미국 미네소타대와 공동으로 초광대역갭 페로브스카이트 산화물 기반의 고내구성 반도체 소자를 개발했다. 이 소자는 10^11 이상의 전류 점멸비를 기록하며 세계 최고 수준의 성능을 보였다. 이번 연구는 페로브스카이트 소재의 활용 범위를 극한 환경용 반도체 등으로 확장할 가능성을 제시했다.