KAIST 연구팀이 산소 이동을 제어하는 층간 절연막 기술을 개발해 산화물 반도체 기반 적층 메모리의 성능과 안정성을 향상시켰다. 이 기술은 산소 터널 구조를 통해 메모리 소자의 결함을 줄여, 메모리를 위로 쌓아도 안정성을 확보하는 데 기여한다. 연구 결과는 국내 연구진과의 협력을 통해 얻어졌다.