삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM5)에 최선단 2나노 공정을 적용하겠다는 계획을 발표했다. 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 뉴스룸 인터뷰를 통해 HBM5의 동작 속도를 기존 대비 50% 이상 향상하고, 전력 효율을 극대화하기 위해 게이트올어라운드(GAA) 구조를 도입할 예정이라고 밝혔다. 삼성전자는 설계부터 제조, 패키징까지...