삼성전자가 차세대 고대역폭메모리인 HBM5의 성능을 대폭 강화합니다. 삼성전자는 HBM5의 동작 속도를 기존 HBM4E 대비 50% 이상 높이기 위해 베이스 다이에 2나노 게이트올어라운드(GAA) 공정을 적용할 계획입니다. 구자흠 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 최근 인터뷰를 통해 HBM4에서 확보한 기술 경쟁력을 바탕으로 차세대 메모리 ...