UNIST 연구팀이 스마트폰 및 TV에 사용되는 산화물 반도체 IGZO의 성능을 저하시키는 산소 빈자리 결함의 원인을 이론 계산으로 규명했습니다. 연구 결과, 결함 주변 금속 원자 간 거리가 전자 포획 여부를 결정하며, 이는 열처리 및 압축 공정의 상반된 효과를 설명할 수 있습니다. 이 발견은 산화물 반도체 성능 향상에 기여할 것으로 기대...