카이스트와 성균관대 연구진이 2차원 소재 내에서 준금속과 반도체 영역을 연속 구현하여 전기 병목 현상을 줄이는 새로운 구조를 개발했습니다. AFM을 이용해 경계에서 전류가 막히지 않음을 세계 최초로 입증했으며, 이는 차세대 반도체 성능 향상에 기여할 것으로 기대됩니다. 연구 결과는 국제 학술지 '매터'에 게재되었습니다.