KAIST와 성균관대 연구팀이 반도체 전류 길목의 접촉 저항 문제를 해결할 해법을 제시했습니다. 백금 다이셀레나이드 2차원 소재 내부에 전류가 잘 흐르는 구간과 제어 구간을 나란히 구현하여, 기존 반도체 성능 저하의 원인이던 접촉 저항을 획기적으로 줄였습니다. 이 기술은 AI 반도체 및 초저전력 소자 개발에 기여할 것으로 기대됩니다.