米ＩＢＭは２５日、回路の微細さを示す線幅が１ナノ・メートル（ナノは１０億分の１）を下回る世界初の半導体の基盤技術を開発したと発表した。０・７ナノ・メートル世代に相当する技術で、ＡＩ（人工知能）向け半導体の性能向上と省電力化を両立する次世代技術と期待される。早ければ５年以内の実用化を見込んでいる。 　電流を制御するトランジスターを従来の平面方向ではなく、垂直に積み重ねる技術を...