信越化学工業は11月13日、QROMISのライセンスを受けて開発した300mm GaN専用のQST基板を活用し、5μm厚のGaN HEMTデバイスが650Vを超える耐圧に達したことを発表した。これは、次世代パワー半導体技術の重要な進展を示しており、業界における製品の性能向上につながる可能性がある。